SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術壁壘高，長期被美、日、德等國所壟斷，一直是被“卡脖子”的關鍵材料之一。

       湖南德智新材料有限公司董事長柴攀表示，此次半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目，總投資約2.5億元，主要用于半導體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā)、制造，投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元。

       據(jù)了解，2018年，德智新材落戶動力谷自主創(chuàng)新園。隨后，其自主設計的國內最大化學氣相沉積設備完成調試投入使用。這個設備能在高溫、高真空環(huán)境下合成鏡面納米碳化硅涂層。目前，“德智新材”成為國內最大單晶太陽能生產(chǎn)企業(yè)——隆基股份等龍頭企業(yè)的供貨商，并與吉林大學、中南大學等知名高校建立長期合作關系。

       “該項目對于國內外的該產(chǎn)品領域來說，都有著一定的前瞻性和拓展性。”業(yè)內人士分析認為，此項目技術含量高、成長能力強、經(jīng)濟效益好，對突破國外的技術封鎖，進一步推動國內半導體產(chǎn)業(yè)轉型升級、壯大株洲經(jīng)濟規(guī)模具有十分重大的意義。